(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211063482.6 (22)申请日 2022.08.31 (71)申请人 数岩科技股份有限公司 地址 100094 北京市海淀区永丰产业基地 丰秀中路3号院3号楼 (72)发明人 李龙生　董虎　姚鹏飞　吴国强　 刘月宁　魏铭江　杨武　 (74)专利代理 机构 北京派特恩知识产权代理有 限公司 1 1270 专利代理师 任晓　浦彩华 (51)Int.Cl. G01Q 30/20(2010.01) G01N 1/28(2006.01) G01N 1/32(2006.01) (54)发明名称 用于扫描电镜的岩石样品制备方法及系统 (57)摘要 本公开实施例提供的用于扫描电镜的岩石 样品制备方法， 包括： 对岩石进行机械研磨抛光 处理； 对所述机械研磨抛光处理的岩石进行氩离 子抛光处理； 对 所述氩离子抛光处理的岩石进行 镀膜处理， 获得岩石样品； 其中， 所述岩石样品用 于扫描电镜。 这里， 通过先对岩石进行机械研磨 抛光再进行氩离子抛光处理， 相较于仅对岩石进 行单一方式的抛光处理， 可以获得岩石观察面更 加平整光滑、 在扫描电镜下孔隙清晰的岩石样 品， 提高了扫描电镜对岩石样品的观察研究效 果。 权利要求书2页 说明书11页 附图7页 CN 115420909 A 2022.12.02 CN 115420909 A 1.一种用于扫描电镜的岩石样品制备 方法， 其特 征在于， 包括： 对岩石进行机械研磨抛光处 理； 对所述机 械研磨抛光处 理的岩石 进行氩离 子抛光处 理； 对所述氩离子抛光处理的岩石进行镀膜 处理， 获得岩石样品； 其中， 所述岩石样品用于 扫描电镜 。 2.根据权利要求1所述的方法， 其特 征在于， 所述方法还 包括： 在所述对岩石 进行机械研磨抛光处 理之前， 对预定体积的岩石 进行半镶嵌包埋处 理。 3.根据权利要求2所述的方法， 其特征在于， 所述对预定体积的岩石进行半镶嵌包埋处 理， 包括： 在半镶嵌包埋模具中加入 包埋剂； 将所述预定体积的岩石放入所述半镶嵌包埋模具中； 继续向所述半镶嵌包埋模具中加入所述包埋剂， 直至所述包埋剂的堆积面与岩石观察 面之间的距离在预设范围内。 4.根据权利要求1所述的方法， 其特 征在于， 所述机 械研磨抛光处 理， 包括： 对岩石进行粗磨处 理； 对粗磨处 理后的岩石 进行精磨处 理； 对精磨处 理后的岩石 进行机械抛光处 理。 5.根据权利要求1所述的方法， 其特 征在于， 所述氩离 子抛光处 理， 包括： 调整岩石观察 面的高度， 使岩石观察 面可以用于抛光处 理； 通过预定的抛光 参数对所述岩石 进行氩离 子抛光处 理。 6.根据权利要求5所述的方法， 其特征在于， 所述通过预定的抛光参数对所述岩石进行 氩离子抛光处 理， 包括： 通过第一电压的氩离 子对岩石 进行氩离 子抛光处 理； 通过第二电压的氩离子对所述通过第一电压的氩离子进行氩离子抛光处理的岩石进 行氩离子抛光处 理； 其中， 所述第二电压低于第一电压 。 7.根据权利要求1所述的方法， 其特 征在于， 所述镀膜处 理， 包括： 根据预定的镀膜参数对岩石 进行真空镀膜处 理。 8.根据权利要求5所述的方法， 其特 征在于， 所述预定的抛光 参数包括以下至少之一： 电压； 电流； 抛光时长； 离子枪的数量； 离子枪的角度。 9.根据权利要求1所述的方法， 其特 征在于， 所述方法还 包括： 通过切割整形处 理获得预定体积的岩石。 10.根据权利要求1所述的方法， 其特 征在于， 所述方法还 包括： 在对所述半镶嵌包埋处理的岩石进行机械研磨抛光处理之后， 对所述机械研磨抛光的 岩石进行清洁与烘干处 理。 11.一种用于扫描电镜的岩石样品制备系统， 其特 征在于， 所述系统包括：权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 115420909 A 2机械研磨抛光设备， 用于对半镶嵌包埋处理后的预定体积岩石进行机械研磨抛光处 理； 氩离子抛光设备， 用于对所述机 械研磨抛光处 理的岩石 进行氩离 子抛光处 理； 镀膜设备， 用于对所述氩离子抛光处理的岩石进行镀膜处理， 获得岩石样品； 其中， 所 述岩石样品用于扫描电镜 。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 115420909 A 3