ICS 29.045 H80 中华人民共和国国家标准 GB/T 4061—2009 代替GB4061—1983 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法 Polycrystalline silicon-examination method-assessment of sandwiches on cross-section by chemical corrosion 2009-10-30发布 2010-06-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T 4061—2009 前言 本标准代替GB4061—1983《硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法》。 本标准与原标准相比，主要有如下改动： 增加了“术语”“试剂与器材”； 一增加了“检验报告”内容； 对试样尺寸的切取方向和试样处理内容增加了要求。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。 本标准起草单位：洛阳中硅高科技有限公司。 本标准主要起草人：袁金满。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： GB4061—1983。 SAG GB/T 4061—2009 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法 1范围 本标准规定了以三氯氢硅和四氯化硅为原料在还原炉内用氢气还原出的硅多晶棒的断面夹层化学 腐蚀检验方法。 本标准关于断面夹层的检验适用于以三氯氢硅和四氯化硅为原料，以细硅芯为发热体，在还原炉内 用氢气还原沉积生长出来的硅多晶棒。 2方法原理 本方法采用化学腐蚀法，根据氢氟酸-硝酸混合液对硅多晶断面氧化夹层及温度夹层腐蚀速率的差 别进行检验。 3术语 3. 1 氧化夹层 oxidelamella 硅多晶横断面上呈同心圆状结构的氧化硅夹杂。 3.2 温度夹层 temperaturelamella 为中心的年轮状结构，也叫温度圈（temperaturecircle）。 4试剂与器材 4.1试剂 4.1.1纯水:大于2Mα·cm纯水(25℃）。 4.1.2氢氟酸(HF)：化学纯。 4.1.3硝酸（HNO3）:化学纯 4.2器材 4.2.1器血：采用耐氢氟酸腐蚀材料。 4.2.2排风橱：采用耐酸气腐蚀材料。 5试样制备 SAG 5.1取样部位 除在桥形硅多晶棒硅芯搭接处或者直的硅多晶棒离石墨卡头10cm一段外均可取样（如图1）。 5.2试样尺寸 沿垂直于细硅芯方向切取厚度大于3mm的平整硅片。 1