3D连接晶体管制造的激光处理

论文标题

3D连接晶体管制造的激光处理

Laser Processing For 3D Junctionless Transistor Fabrication

论文作者

Bosch, D., Alba, P. Acosta, Kerdiles, S., Benevent, V., Perrot, C., Lassarre, J., Richy, J., Lacord, J., Sklenard, B., Brunet, L., Batude, P., Fenouillet-Beranger, C., Lattard, D., Colinge, J. P., Balestra, F., Andrieu, F.

论文摘要

为了完全利用无连接晶体管（JLT）的低成本和低温特征，我们研究了一个475摄氏度的过程，以在绝缘子上的薄薄poly-si层上创建。我们制造了13nm的掺杂（磷，1E19 at/cm3）的聚硅膜，具有出色的粗糙度值（RMAX = 1.6nm，RMS = 0.2nm）。给出了使用纳秒（NS）激光退火的晶粒尺寸优化指南。

To take fully advantage of Junctionless transistor (JLT) low-cost and low-temperature features we investigate a 475 degC process to create onto a wafer a thin poly-Si layer on insulator. We fabricated a 13nm doped (Phosphorous, 1E19 at/cm3) poly-silicon film featuring excellent roughness values (Rmax= 1.6nm and RMS=0.2nm). Guidelines for grain size optimization using nanosecond (ns) laser annealing are given.

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